Zahra Jahanshah Rad
MSc
zahra.s.jahanshahrad@utu.fi Työhuone: P80 ORCID-tunniste: https://orcid.org/0000-0001-6943-2256 |
Asiantuntijuusalueet
PhD candidate at the Material Research Laboratory
PhD candidate at the Material Research Laboratory
Julkaisut
- A Detailed Examination of Polysilicon Resistivity Incorporating the Grain Size Distribution (2025)
- IEEE Transactions on Electron Devices
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Effects of ultra-high vacuum treatments on n-type Si contact resistivity (2025)
- Applied Surface Science
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Dry cleaning of InSb surfaces by hydrogen molecule exposure in ultrahigh vacuum (2024)
- Applied Surface Science
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Modeling the Influence of Deposition Parameters on the Crystalline Degree in the Simulation of Polycrystalline Silicon (2024)
- physica status solidi (b)
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Polycrystalline silicon, a molecular dynamics study: I. Deposition and growth modes (2024)
- Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Polycrystalline silicon, a molecular dynamics study: II. Grains, grain boundaries and their structure (2024)
- Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Effects of Ultrahigh Vacuum Treatments on Wet Chemically Cleaned Si Surfaces (2023)
- Solid State Phenomena
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Properties and modification of native oxides of InP(100) (2023)
- Journal of Physics D: Applied Physics
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Quantifying the Impact of Al Deposition Method on Underlying Al2O3/Si Interface Quality (2023)
- physica status solidi (a)
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Reversible oxygen-driven c(4 x 4) ↔ (1 x 2) phase transition on the Ba/Ge (100) surface (RETRACTED) (2023)
- Applied Surface Science
(O2 Muu julkaisu ) - Surface Passivation of Germanium with ALD Al2O3: Impact of Composition and Crystallinity of GeOx Interlayer (2023)
- Crystals
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Controlling the fixed negative charge formation in Si/high-k interfaces (2022)
- Physical Review Materials
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Effects of post oxidation of SiO2/Si interfaces in ultrahigh vacuum below 450 °C (2022)
- Vacuum
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Effects of thermal vacuum nitridation of Si(100) surface via NH3 exposure (2022)
- Thin Solid Films
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Atomic and electronic structures of Si/Ge(100) interfaces studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy (2021)
- Physical Review B
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Atomic-Scale Modification of Oxidation Phenomena on the Ge(100) Surface by Si Alloying (2021)
- ACS Materials Au
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Black silicon boron emitter solar cells with EQE above 95% in UV (2021)
- Conference Record IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(A4 Vertaisarvioitu artikkeli konferenssijulkaisussa) - Observation of Si 2p Core‐Level Shift in Si/High‐κ Dielectric Interfaces Containing a Negative Charge (2021)
- Advanced Electronic Materials
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Stabilization of unstable and metastable InP native oxide thin films by interface effects (2021)
- Applied Surface Science
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Decreasing Interface Defect Densities via Silicon Oxide Passivation at Temperatures Below 450 degrees C (2020)
- ACS Applied Materials and Interfaces
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )