Risto Punkkinen
PhD
Puolijohdeteknologia; puolijohdemateriaalien ja elektroniikan komponenttien sähköinen karakterisointi; anturiteknologiat, diodipohjaiset hiukkasanturit
Puolijohdeteknologia
Olen (s. 1951) valmistunut filosofian maisteriksi Turun yliopistosta 1976 pääaineenani fysiikka. Opinnot jatkuivat ja filosoifan tohtorin arvo myönnettiin minulle 1990 Turun yliopistosta. Sen jälkeen olen työskennellyt lyhyttä aikaa lukuunottamatta Turun yliopistossa opettaen aluksi fysiikan mutta sittemmin elektroniikan perus- ja jatko-opintoja. Olen eläköitynyt elokuussa 2021. Sen jälkeen olen työskennellyt osa-aikaisesti Suomen Akatemian Foresail-huippuhankkeessa tutkijana ja opettanut joitakin elektroniikan peruskursseja.
Tutkimus on kohdistunut puolijohdeteknologiaan ja mittausteknologiaan.
-Tutkimuksessa tavoiteltiin piipohjaisen laserin valmistamista.
- Anturiteknologiassa onnistuimme kehittämään erittäin herkän vetyanturin piisubstraatille
-Laboratoriomme on valmistanut ja mitannut Akatemian huippuhankkeen piidiodiin perustuvat hiukkasanturit. PATE-instrumentti myös koottiin puhdastilassa.
-Materiaalipuolella tavoitteena on ollut piitransistorin ”parantaminen” materiaaliteknologian keinoilla, jolloin voitaisiin saavuttaa suurempi elektronien ja aukkojen liikkuvuus.
Opetus on ollut elektroniikan ja puolijohdeteknogian perus- aine- ja jatko-opintojen kurssien pitämistä ja ollen ollut niistä vastuussa.
- Clinical assessment of a non-invasive wearable MEMS pressure sensor array for monitoring of arterial pulse waveform, heart rate and detection of atrial fibrillation (2019)
- npj Digital Medicine
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - FORESAIL‐1 CubeSat Mission to Measure Radiation Belt Losses and Demonstrate Deorbiting (2019)
- Journal of Geophysical Research: Space Physics
A. Osmane, E. Palmerio, J. Peltonen, Y. Pfau‐Kempf, J. Plosila, J. Polkko, S. Poluianov, J. Pomoell, D. Price, A. Punkkinen, R. Punkkinen, B. Riwanto, L. Salomaa, A. Slavinskis, T. Säntti, J. Tammi, H. Tenhunen, P. Toivanen, J. Tuominen, L. Turc, E. Valtonen, P. Virtanen, T. Westerlund
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Observation of Crystalline Oxidized Silicon Phase (2019)
- Advanced Materials Interfaces
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Oxidation-Induced Changes in the ALD-Al2O3/InAs(100) Interface and Control of the Changes for Device Processing (2018)
- ACS Applied Materials and Interfaces
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Fabrication of a thin silicon detector with excellent thickness uniformity (2016)
- Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Hydrogen sensor of Pd-decorated tubular TiO2 layer prepared by anodization with patterned electrodes on SiO2/Si substrate (2016)
- Sensors and Actuators B: Chemical
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Toward the Atomically Abrupt Interfaces of SiOx/Semiconductor Junctions (2016)
- Advanced Materials Interfaces
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Observation of unusual metal-semiconductor interaction and metal-induced gap states at an oxide-semiconductor interface: The case of epitaxial BaO/Ge(100) junction (2015)
- Physical Review B
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Oxidation of the GaAs semiconductor at the Al2O3/GaAs junction (2015)
- Physical Chemistry Chemical Physics
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Effect of UV on wettability and bacterial adhesion of TiO2-nanotubes (2014)
- Dental Materials
(O2 Muu julkaisu )



