Risto Punkkinen
PhD
Puolijohdeteknologia; puolijohdemateriaalien ja elektroniikan komponenttien sähköinen karakterisointi; anturiteknologiat, diodipohjaiset hiukkasanturit
Puolijohdeteknologia
Olen (s. 1951) valmistunut filosofian maisteriksi Turun yliopistosta 1976 pääaineenani fysiikka. Opinnot jatkuivat ja filosoifan tohtorin arvo myönnettiin minulle 1990 Turun yliopistosta. Sen jälkeen olen työskennellyt lyhyttä aikaa lukuunottamatta Turun yliopistossa opettaen aluksi fysiikan mutta sittemmin elektroniikan perus- ja jatko-opintoja. Olen eläköitynyt elokuussa 2021. Sen jälkeen olen työskennellyt osa-aikaisesti Suomen Akatemian Foresail-huippuhankkeessa tutkijana ja opettanut joitakin elektroniikan peruskursseja.
Tutkimus on kohdistunut puolijohdeteknologiaan ja mittausteknologiaan.
-Tutkimuksessa tavoiteltiin piipohjaisen laserin valmistamista.
- Anturiteknologiassa onnistuimme kehittämään erittäin herkän vetyanturin piisubstraatille
-Laboratoriomme on valmistanut ja mitannut Akatemian huippuhankkeen piidiodiin perustuvat hiukkasanturit. PATE-instrumentti myös koottiin puhdastilassa.
-Materiaalipuolella tavoitteena on ollut piitransistorin ”parantaminen” materiaaliteknologian keinoilla, jolloin voitaisiin saavuttaa suurempi elektronien ja aukkojen liikkuvuus.
Opetus on ollut elektroniikan ja puolijohdeteknogian perus- aine- ja jatko-opintojen kurssien pitämistä ja ollen ollut niistä vastuussa.
- Relativistic Electron and Proton Experiment for the HENON mission: simulated performance (2026)
- Journal of Space Weather and Space Climate
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Below 1% Reflectance for Black GaAs Surface Prepared by Facile Two-Step Wet Chemical Treatment: Hydrogen Peroxide and Water (2025)
- Advanced photonics research
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Effects of ultra-high vacuum treatments on n-type Si contact resistivity (2025)
- Applied Surface Science
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Potential of ultrahigh-vacuum based surface treatments in silicon technology (2025)
- Microelectronic Engineering
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Surface Properties of p‐GaN and Formation of Nickel Metal Contacts (2025)
- Advanced Materials Interfaces
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Transforming Schottky to Ohmic Contacts via Ultrahigh-Vacuum Engineered Interfacial Alloying (2025)
- ACS Applied Materials and Interfaces
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Properties and modification of native oxides of InP(100) (2023)
- Journal of Physics D: Applied Physics
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Wet Chemical Treatment and Mg Doping of p-InP Surfaces for Ohmic Low-Resistive Metal Contacts (2023)
- Advanced Engineering Materials
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Controlling the fixed negative charge formation in Si/high-k interfaces (2022)
- Physical Review Materials
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä ) - Effects of post oxidation of SiO2/Si interfaces in ultrahigh vacuum below 450 °C (2022)
- Vacuum
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )



