A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä

Recombination Rate of D Atoms in Solid D2 in the Temperature Range from 0.23 to 1.64 K



Tekijät: Wetzel, C. K.; Lee, D. M.; Sheludiakov, S.; Ahokas, J.; Vasiliev, S.; Khmelenko, V. V.

Kustantaja: Springer Nature

Julkaisuvuosi: 2026

Lehti: Journal of Low Temperature Physics

Artikkelin numero: 40

Vuosikerta: 222

Numero: 2

ISSN: 0022-2291

eISSN: 1573-7357

DOI: https://doi.org/10.100a7/s10909-026-03375-x

Julkaisun avoimuus kirjaamishetkellä: Avoimesti saatavilla

Julkaisukanavan avoimuus : Osittain avoin julkaisukanava

Verkko-osoite: https://doi.org/10.100a7/s10909-026-03375-x

Rinnakkaistallenteen osoite: https://research.utu.fi/converis/portal/detail/Publication/516121102

Rinnakkaistallenteen lisenssi: CC BY

Rinnakkaistallennetun julkaisun versio: Kustantajan versio


Tiivistelmä

The recombination rates of D atoms in solid D2 films were measured in the temperature range 0.23–1.64 K. Atoms were formed in thin D2 films by maintaining radio-frequency discharge above the film surface for several days. After stopping discharge the decay of D atoms concentrations was monitored at different temperatures by the method of electron spin resonance (ESR). Decreasing the films temperature from 1.64 to 0.23 K resulted in reducing the recombination rate from 7.2 × 10−26 cm3s−1 to 1.0 × 10−27 cm3s−1.


Ladattava julkaisu

This is an electronic reprint of the original article.
This reprint may differ from the original in pagination and typographic detail. Please cite the original version.

Julkaisussa olevat rahoitustiedot: 
D.M.L. and V.V.K. provided financial support.


Last updated on