A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä

Solution processable: In situ passivated silicon nanowires

Tekijät: Yan J, Ge K, Li H, Yang X, Chen J, Wan L, Guo J, Li F, Xu Y, Song D, Flavel B, Chen J

Julkaisuvuosi: 2021

Journal: Nanoscale

Tietokannassa oleva lehden nimi: Nanoscale

Vuosikerta: 13

Numero: 26

ISSN: 20403372 20403364

DOI: https://doi.org/10.1039/d1nr02131a

Verkko-osoite: http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85109937924&partnerID=MN8TOARS