A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä
Giant magnetoresistance response in Sr2FeMoO6 based organic spin valves
Tekijät: Angervo Ilari, Saloaro Minnamari, Palonen Heikki, Huhtinen Hannu, Paturi Petriina, Mäkelä Tapio, Majumdar Sayani
Kustantaja: ELSEVIER
Julkaisuvuosi: 2022
Lehti: Applied Surface Science
Tietokannassa oleva lehden nimi: APPLIED SURFACE SCIENCE
Lehden akronyymi: APPL SURF SCI
Artikkelin numero: 152854
Vuosikerta: 589
Sivujen määrä: 6
ISSN: 0169-4332
eISSN: 1873-5584
DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.152854
Julkaisun avoimuus kirjaamishetkellä: Avoimesti saatavilla
Julkaisukanavan avoimuus : Osittain avoin julkaisukanava
Rinnakkaistallenteen osoite: https://research.utu.fi/converis/portal/detail/Publication/175158295
Rinnakkaistallenteen lisenssi: CC BY
Rinnakkaistallennetun julkaisun versio: Kustantajan versio
We report the fabrication of the first Sr2FeMoO6 based organic spin valve device using Tris(8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq(3)) as a spin transport layer. The characterization of the device confirms hysteretic magnetoresistance with approximately 20%-30% switching between high and low resistance states at low temperatures. The results demonstrate that organic semiconductors can form a suitable interface with double perovskite, half metallic Sr2FeMoO6, for efficient low temperature operation and have a potential to improve the room temperature performance significantly in tunneling devices where decay in spin diffusion length of organic layer does not affect the transport.
Avainsanat:
Alq(3), MAGNETORESISTANCE, Spin valve, Sr2FeMoO6
Ladattava julkaisu This is an electronic reprint of the original article. |  |
