A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä

Bismuth-containing c(4x4) surface structure of the GaAs(100) studied by synchrotron-radiation photoelectron spectroscopy and ab initio calculations

Tekijät: P. Laukkanen, M. P. J. Punkkinen, J. J. K Lång, J. Sadowski, M. Kuzmin, K. Kokko

Julkaisuvuosi: 2014

Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena

Vuosikerta: 193

Aloitussivu: 34

Lopetussivu: 38

Sivujen määrä: 5

ISSN: 0368-2048

DOI: https://doi.org/10.1016/j.elspec.2014.02.008