A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä

Low threshold current 1.32 um GaInNAs / GaAs single quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy

Tekijät: W. Li, T. Jouhti, C.S. Peng, J. Konttinen, P. Laukkanen, E.-M. Pavelescu, M. Dumitrescu, M. Pessa

Julkaisuvuosi: 2001

Journal: Applied Physics Letters

Vuosikerta: 79

Aloitussivu: 3386