A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä

Post-annealing of InGaAs / GaAs and InGaAsN / GaAs triple quantum-well structures with a modified proximity GaAs cap: A dramatic effect on the optical and structural properties

Tekijät: J. Pakarinen, C.S. Peng, J. Puustinen, P. Laukkanen, A. Tukiainen, V.-M. Korpijärvi, M. Pessa

Julkaisuvuosi: 2008

Journal: Applied Physics Letters

Vuosikerta: 92

Aloitussivu: 232105