A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä

Properties of the SiO2- and SiNx- capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN/GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence

Tekijät: Dahl Johnny, Polojärvi Ville, Salmi Joel, Laukkanen Pekka, Guina Mircea

Kustantaja: American Institute of Physics

Julkaisuvuosi: 2011

Journal: Applied Physics Letters

Artikkelin numero: 102105

Numero sarjassa: 10

Vuosikerta: 99

Numero: 10

Sivujen määrä: 3

ISSN: 0003-6951

DOI: https://doi.org/10.1063/1.3634046