A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä

Oxidized In-containing III-V(100) surfaces: Formation of crystalline oxide films and semiconductor-oxide interfaces

Tekijät: M P J Punkkinen, P Laukkanen, J Lång, M Kuzmin, M Tuominen, V Tuominen, J Dahl, M Pessa, M Guina, K Kokko, J Sadowski, B Johansson, I J Väyrynen, L Vitos

Kustantaja: The American Physical Society

Julkaisuvuosi: 2011

Journal: Physical Review B

Artikkelin numero: 195329

Vuosikerta: 83

Numero: 19

Sivujen määrä: 6

ISSN: 1098-0121

DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.195329