A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä

Effects of (NH4)2S and NH4OH surface treatments prior to SiO2 capping on 1.3: GaInAsN/GaAs quantum well structures

Tekijät: Polojärvi V, Salmi J,   Schramm A, Tukiainen A, Guina M, Pakarinen J, Arola E, Lång J, Väyrynen I J, Laukkanen P

Julkaisuvuosi: 2010

Journal: Applied Physics Letters

Artikkelin numero: 111109

Numero sarjassa: 11

Vuosikerta: 97

Numero: 11

Sivujen määrä: 3

ISSN: 0003-6951

DOI: https://doi.org/10.1063/1.3487784